삼성전자, 70억불 투자 중국 시안 반도체 2기 라인 기공식, '19년 완공 목표

[서울와이어 이방원 기자]삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

삼성전자는 28일 오전 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인' 기공식을 진행했다.

기공식에는 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석했다.
 

삼성전자는 지난 '17년 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 불을 투자하기로 했다.

 
삼성전자 김기남 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여 하겠다"고 말했다.

 
산시성 성장 류궈중(刘国中)은 축사를 통해 "삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 말했다.

 
삼성전자 시안 반도체 사업장은 '12년 1기 기공식을 시작으로 '13년 전자연구소 설립, '14년 1세대 V-NAND 양산 및 '15년 後공정 라인 완공했으며, 이번 시안 반도체 2기 라인 기공식을 시작으로 19년 완공한다는 목표다.

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