[서울와이어 서동화 기자] 삼성전자는 30일 실적 컨퍼런스콜을 통해 올해 D램 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 연간 10% 중반 성장하고 낸드(NAND)는 20% 중후반 성장할 것으로 예상된다고 밝혔다.
연합뉴스에 따르면 삼성전자 메모리 반도체 담당 한진만 전무는 "올해 연간 D램은 서버 업계 투자 증가로 견조한 수요 증가세가 예상되며 하반기 성수기 효과로 신규 중앙처리장치(CPU) 출시에 따른 탑재량 중심 수요 성장이 전망된다"고 말했다.
이어 "모바일 부문은 5G로 탑재량 증가할 것"이라며 "모바일 응용처의 신규 수요 성장이 예상된다"고 덧붙였다.
한 전무는 낸드 부문은 1분기에 업황 안정화가 이어질 것으로 봤다. 서버 위주의 수요 강세가 지속해 가격 상승세도 계속된다는 전망이다.
시스템 반도체 담당인 신동호 전무는 올해 중국 업체들이 5G 스마트폰을 경쟁적으로 출시할 것으로 예상함에 따라 이 부문에서 큰 폭의 성장세를 예측했다.
신 전무는 "시스템온칩(SoC) 거래선 다변화를 통한 판매 확대를 추진할 것"이라며 "이미지센서는 카메라 사양 강화 경쟁에 따라 고화소 센서 채용 추세가 이어지고 멀티플 카메라 수요도 확대될 것"이라고 말했다.
삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 부문도 올해 매출이 두 자릿수 성장세를 보일 것으로 예측했다.
파운드리 담당 한승훈 전무는 "1분기는 플래그십 스마트폰 출시에 따라 주요 고객사 애플리케이션 프로세서(AP) 수요 증가가 예상된다'며 "5G 관련 칩 수요 극대화에 대응해 운영 최적화에 집중할 것"이라고 말했다.
그는 또 "올해는 선단 공장인 4나노 공정의 제품 설계를 완료하고 5나노 공정에서는 모바일 외에도 다수 제품을 추가로 설계를 완료해 고객 응용처를 다변화하고 미래 성장 발판을 마련하겠다"고 덧붙였다.