삼성전자, 상반기 내 GAA기반 3나노 공정 제품 양산 계획
한·미 정상 앞에서 시제품 공개, 기술격차 우월성 과시

윤석열 대통령과 한국을 찾은 조 바이든 미국 대통령이 지난 20일 삼성전자 평택 반도체공장을 찾아 상반기 양산을 앞둔 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품에 사인하는 모습. 사진=연합뉴스 제공
윤석열 대통령과 한국을 찾은 조 바이든 미국 대통령이 지난 20일 삼성전자 평택 반도체공장을 찾아 상반기 양산을 앞둔 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품에 사인하는 모습. 사진=연합뉴스 제공

[서울와이어 정현호 기자] 이재용 삼성전자 부회장이 지난 20일 평택 반도체공장을 찾은 조 바이든 미국 대통령에게 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정을 적용한 최신 반도체 제품을 선보였다. 

이 부회장은 현장에서 삼성전자의 독자적인 게이트올어라운드(GAA) 기술인 MBCFET 구조가 적용된 차세대 반도체 제품을 최초로 공개했다. 이는 세계 반도체시장에 초격차 기술의 자신감을 드러낸 것으로 평가된다. 

TSMC의 핀펫 기반 5나노 공정 대비 전력 소모량과 면적은 각각 50%, 35% 줄지만, 성능은 30% 향상된다. 현재 5나노 공정을 할 수 있는 기업은 삼성전자와 TSMC뿐이다. 삼성전자는 상반기 중 3나노 기술이 적용된 반도체 양산에 나설 예정이다.

삼성전자는 3나노 제품을 앞세워 TSMC 추격에 속도를 낼 것으로 보인다. 특히 윤석열 대통령과 바이든 대통령이 3나노 웨이퍼에 나란히 사인하면서 상징성도 커졌다. 두 정상의 방문을 계기로 삼성전자는 반도체 기술 위상 강화는 물론 제품 홍보 효과를 누렸다.

현장에는 주요 고객사 중 하나인 퀼컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)도 함께했다. 세계 최초로 3나노 공정이 적용된 제품을 직접 확인한 만큼 삼성전자의 고객사 확보에도 도움이 될 것으로 보인다. 

업계에서는 3나노 공정을 반도체기업 간 경쟁의 ‘게임체인저’로 꼽는다. 동시에 삼성전자의 제품이 글로벌 선두를 달리는 TSMC와 격차를 줄일 비장의 무기가 될 것으로 전망했다. 현재 TSMC는 3나노 제품 양산 시점을 올 하반기로 잡았다. 

삼성전자는 해당 공정을 통해 초미세 공정 기술 주도권 우위를 쥐고 TSMC와 격차를 빠르게 좁힌다는 구상이다. 지난해 기준 글로벌 파운드리 시장 1위는 TSMC로 점유율은 53%다. 삼성전자는 18%를 점유했다.

업계 관계자는 “삼성전자가 최첨단 반도체 웨이퍼를 세계 최초로 선보이면서 파운드리 시장 판도를 뒤흔드는 분위기”라며 “한미 정상 앞에서 최신 반도체를 공개한 것은 앞으로 반도체 기술 우위  지속은  물론 공급에 문제가 없다는 점을 간접적으로 드러낸 것”이라고 해석했다. 

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