화성 V1라인 출하식, 3나노 연구개발·양산 임직원 격려
독자적 구조로 양산 시작, 세계 유일 3나노 파운드리 첫단추
[서울와이어 박정아 기자] 삼성전자가 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 25일 밝혔다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 꼽힌다. GAA 기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일하다.
삼성전자는 2000년대 초부터 GAA 트랜지스터 구조 연구를 시작했다. 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 세계 최대 파운드리업체 대만 TSMC는 하반기에 3나노를 양산한다.
아울러 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고 주요 고객과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용하기 위해 협력 중이다.
이날 행사에는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여명이 참석했다. 이들은 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원을 격려했다.
삼성전자 파운드리사업부는 혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다는 자신감을 드러냈다. 또 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.
삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.
경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.
이창양 산업통상자원부 장관은 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체업계, 소부장업계가 힘을 모아달라”며 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않겠다”고 강조했다.
한편 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
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