SK하이닉스, AI 메모리 라인업 강화… 'HBM3E' 이달 말 고객사 공급 시작

[서울와이어 정현호 기자] SK하이닉스가 HBM 5세대 HBM3E D램에서도 인공지능(AI) 메모리 선도기업으로서의 위상을 보다 공고히 하는 모습이다.

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산하고 이어 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 앞서 지난해 8월 HBM3E 개발 소식을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.

류성수 SK하이닉스 HBM Business담당(부사장)은 “회사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며, “축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토탈 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 강조했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 평가된다. 

1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐으며, HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전이다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 

이에 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 지속 높여가는 추세다. SK하이닉스는 이와 관련 HBM3E가 이를 충족시켜줄 최적의 제품이 될 것으로 내다봤다. 

HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 사측은 설명했다. 특히 이 제품은 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 

또 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 등 성능이 대폭 향상됐다. 

AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건으로 꼽히는 데 SK하이닉스는 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 말했다.