SK하이닉스-한미반도체 갈등 진원지는 '하이브리드 본딩'

[서울와이어 천성윤 기자] 영원한 동맹일 것 같았던 SK하이닉스와 한미반도체 간 갈등이 불거진 가운데, 그 진원지가 ‘하이브리드 본딩’ 기술인 것으로 알려져 관심이 쏠린다.

SK하이닉스는 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM4’ 공정에서 하이브리드 본딩 방식 도입을 검토하는데, 한화세미텍 장비가 수율 기준을 맞췄다는 것이다.

7일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스와 한미반도체는 갈등을 딛고 물밑으로 협상을 이어나가고 있다. 

SK하이닉스는 한미반도체가 엔지니어를 모두 철수시킨 점에 대해서는 ‘중대 도발’로 여기고 있지만, 한미반도체의 장비 없이는 HBM 생산에 차질이 생기기 때문에 불편하더라도 안고 가기로 한 것이다.

한미반도체 입장에서도 삼성전자와 대규모 거래는 안하는 상황에서 SK하이닉스까지 모두 버리고 마이크론에 ‘올인’하기엔 위험부담 크다는 입장이다. 

업계 관계자는 “SK하이닉스는 TC본더 외에도 후공정에서 한미반도체 장비를 다수 사용 중이다”며 “일각에서 나오는 ‘완전 결별’은 있을 수 없다고 본다”고 말했다.

양사의 갈등은 SK하이닉스가 한화세미텍 장비를 도입하기로 하며 폭발했다. 한미반도체는 한화세미텍을 지난해 12월 특허침해로 고소하는 등 사이가 매우 좋지 않은 상황인데, SK하이닉스가 한화세미텍 장비를 더 비싸게 사들인 것이다.

SK하이닉스는 한화세미텍 장비를 대당 35억원 선으로 총 12대 420억원 규모로 계약한 것으로 알려졌다. 이는 대당 약 25억원의 한미반도체 장비보다 10억원가량 높은 가격이다.

한미반도체의 TC본더는 해외 판매가가 30억~40억원대지만, SK하이닉스에는 동맹 관계를 고려해 30% 가까이 할인된 가격으로 8년간 동결해 공급해 왔다. 한미반도체가 가격을 28% 인상하겠다고 통보하며 SK하이닉스 이천공장의 엔지니어를 모두 철수시키는 초강수를 둔 것에 나름의 이유가 있던 것이다. 

하지만 SK하이닉스는 정당한 입찰 절차를 밟았다는 입장이다. 다음 세대 HBM인 6세대 16단부터는 기존 D램과 D램 사이에 필름형 접착제(MR-MUF)를 넣고 열 압착하는 TC본딩이 아닌, D램 표면을 미세 평탄화한 뒤 직접 연결하는 고난이도 하이브리드 본딩이 필요하다.

이에 하이브리드 본딩을 오랜 기간 개발해 온 한화세미텍이 안정적인 수율을 기록해 최종 계약이 성사됐다는 것이다. 한미반도체의 하이브리드 본딩 장비는 내년에 출시될 것으로 예상된다.

한편 SK하이닉스와 한미반도체가 완전 결별 수순에 들어갔다는 세간의 소문에 대해 양사는 “사실무근”이라고 선을 그었다. 

업계 관계자는 “SK하이닉스와 한미반도체는 상호 의존 관계기 때문에 타협점을 빠른 시일 내에 찾을 것”이라며 “다만 SK하이닉스는 이번 일을 계기로 현재 추진 중인 장비 공급망 다각화를 더욱 확신을 갖고 진행할 것으로 전망된다”고 말했다.