삼성전자, 메모리반도체 선단공정 전환 탄력… '초격차' 재시동

[서울와이어 정현호 기자] 올해 3분기 실적을 공개한 삼성전자가 디바이스솔루션(DS)부문 적자폭 개선에 힘입어 내년 고대역폭 메모리(HBM)의 내년 생산 능력을 기존 대비 키워 늘어나는 인공지능(AI) 메모리 수요에 대응하겠다는 비전을 내놨다. 

앞서 삼성전자는 31일 오전 실적 공시를 통해 올 3분기 연결기준 매출 67조4047원, 영업이익 2조4336억원을 각각 기록했다고 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 12.21%, 영업이익은 77.57% 감소했다. 

하지만 상반기 업황 침체 속 부진했던 DS부문의 적자폭이 줄면서 올해 첫 분기 조단위 영업이익을 달성했다. 이에 남은 4분기와 내년도 실적 개선 기대감이 높아졌고 추진하는 미래전략에도 탄력이 붙을 것으로 보인다. 

삼성전자는 실적 발표 이후 진행된 컨퍼런스콜을 통해 미래 경쟁력 확보를 위한 시설과 연구개발(R&D) 투자를 이어가는 동시에 차세대 메모리 제품인 HBM의 공급역량도 대폭 끌어올리겠다고 강조했다. 

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 이날 “업계 최고 수준의 공급량 유지를 위해 내년 생산 능력을 2.5배 이상 확보하겠다”며 “주요 고객사와 내년 공급량 협의를 완료한 상태”라고 설명했다. 

메모리시장의 저점 인식이 확산됨에 따른 것으로 공급량을 늘려 시장을 선점하겠다는 의미로 풀이된다. 김 부사장은 이와 관련 "내년 하반기에는 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 높아지는 AI시장 요구에 적극 대응할 계획"이리고 강조했다. 

이와 달리 낸드의 경우 감산 기조를 유지해 나가기로 했다. 감산은 유지되지만 선단 공정 확대로 반전의 기회를 꾀하는 모습이다. 실제 삼성전자는 V7·V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속 확대해 나가겠다고 설명했다. 

파운드리부문에서도 초격차를 위한 공격적인 투자를 예고했다. 특히 삼성전자는 첨단공정 수요 대응을 목표로 평택 생산능력 확대 및 미래 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자 등에 나설 방침이다. 

삼성전자 관계자는 “올해 연간 시설투자는 약 53조7000억원 수준으로 연간 최대 규모의 투자”라며 “메모리 중장기 수요 대응을 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자 및 기술 리더십 강화를 위한 R&D용 투자 비중 확대 등 신기술 투자를 적극적으로 진행하고 있다”고 말했다.