삼성전자, 발 빠른 '3나노' 양산… 파운드리 성장 가속

[서울와이어 정현호 기자] 삼성전자가 30일 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노(㎚=10억분의 1ｍ) 초도 양산을 시작했다. 회사는 3나노 양산에 힘입어 글로벌시장에서 대만 TSMC와 격차를 좁혀간다는 구상이다. 

업계에 따르면 삼성전자의 3나노 제품 양산은 대만 TSMC와 인텔 등보다 반년 이상 빠른 시점으로 기대를 모은다. 앞으로 고객사 확보와 수율 등의 문제가 없다면 파운드리시장에서 점유율 상승은 시간 문제라는 평가다. 

삼성전자는 3나노 공정을 통해 회로 선폭을 미세화해 반도체 소비전력은 줄이면서 처리속도는 향상했다. 삼성전자는 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 최초로 적용하며 기술혁신을 동시에 이뤄냈다.

회사의 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정 대비 전력은 45% 절감하면서 성능은 23% 높였다. 또한 반도체 면적은 16% 줄었다. 면적은 점차 줄어들 것으로 예상돼 내년 도입될 예정인 GAA 2세대 공정 역시 면적은 35% 축소되지만, 전력 절감은 50%, 성능은 30% 향상될 전망이다. 

시장조사업체 옴디아는 3나노 관련 매출은 올해부터 발생하기 시작해 2024년에는 5나노 공정 매출을 넘어설 것으로 내다봤다. 글로벌기업 간 기술력 경쟁이 치열한 가운데 삼성전자가 먼저 치고 나간 셈이다.

삼성전자는 이번 양산을 계기로 시스템반도체 1위에 속도를 올릴 계획이다. 시스템반도체의 경우 수요는 지속되지만 공급이 딸린다. 이에 삼성전자에 대한 고객 수요가 집중될 수 있다는 기대도 높다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 “회사는 파운드리 업계 최초로 ‘하이-케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate)’, ‘핀펫(FinFET)’, ‘극자외선(EUV)’ 등 신기술을 선제적으로 도입해 빠르게 성장해 왔다”고 말했다. 

최 사장은 “GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”며 “앞으로도 차별화된 기술을 개발을 비롯해 공정 성숙도를 빠르게 높이는 등 시스템을 구축해 나가겠다”고 강조했다.