[서울와이어 정현호 기자] 삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정이 적용된 16 기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다. D램 미세 공정 경쟁에서 확실한 우위를 점한 모습으로 회사는 데이터처리 센터 등 다양헌 응용처에 제품을 공급할 계획이다.
18일 삼성전자가 양산에 나선 12나노급 D램은 최선단 기술이 적용됐고, 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력 역시 약 23% 개선됐고, 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 운영 효율을 높일 수 있다는 강점을 지녔다.
또 탄소 배출과 에너지 사용량도 줄일 수 있어 글로벌 정보통신(IT) 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것이란 기대를 받고 있다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량도 늘렸고, 이에 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워졌다.
실제 D램은 커패시터에 저장된 전하로 1, 0을 구분한다. 커패시터 용량이 커질수록 데이터가 확실히 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 회사는 이와 함께 동작 전류 감소 기술과 데이터를 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.
데이터 처리의 경우 DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 앞으로 고객 수요에 맞춰 해당 제품 라인업을 지속 확대해 나갈 방침이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “차별화된 공정 기술력을 바탕, 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량 확보와 동시에 제품을 적기 상용화해 D램시장을 지속 선도해 나가겠다”고 말했다.