2017년 사업부 출범 이후 매출 2배·연평균 성장률 15% 이상
경계현 DS부문 사장 "2나노 공정부터 TSMC 앞지를 수 있다"

[서울와이어 정현호 기자] 지난해 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 매출액이 출범 이후 처음으로 200억달러를 돌파한 것으로 나타났다.
파운드리시장에 처음 진출했고, 이후 매년 꾸준한 성장세를 보여온 결과 이 같은 성과를 달성할 수 있었던 것으로 분석된다.
8일 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 삼성전자 파운드리부문 연매출은 208억달러(약 27조6000억원)로 추산됐다. 이는 회사가 2017년 파운드리 사업부를 출범한 뒤 처음으로 올린 2018년 117억달러(약 15조5000억원)대비 2배 가까이 늘어난 수치다.
최근 주력인 메모리반도체 부진 속 파운드리사업부 성장은 앞으로의 기대를 높이고 있다. 실제 옴디아는 삼성전자 파운드리의 2018~2022년 5년간 연평균 매출성장률을 15.6%로 집계했다.
업계에서는 해당 시장 점유율 1위인 대만 TSMC와 삼성전자 간 격차는 여전하지만, 지금과 같은 성장세라면 벌어진 간극은 빠르게 좁혀질 것으로 보고 있다.
양사는 공정과 기술력에서 치열한 다툼을 벌이고 있으며, 향후 초미세 공정에서 승부가 갈릴 것이란 시각이 지배적이다.
경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 사장도 “삼성전자의 3·4나노(㎚) 기술력이 TSMC보다 각각 2년, 1년가량 뒤처졌지만, TSMC가 2나노 공정 안에 들어오는 시점부터 앞설 수 있다”고 자신했다.
특히 그는 5년 내 TSMC를 앞지르겠다고 언급했다. 자신감에 배경은 3㎚ 공정에 세계 최초로 적용한 ‘게이트올어라운드’(GAA) 기술이 있다. GAA는 기존 핀펫과 비교해 성능과 전력 효율 등에서 우위를 보인다는 평가다.
또 최신 공정 수율(완성품 중 양품 비율)이 안정화 단계에 접어든 드는 등 글로벌 고객사 확보도 무리 없이 진행될 것으로 예상된다. 앞서 지난해는 퀄컴, 엔비디아 등을 TSMC에 뺏겼으나 올해 수율 확대에 힘입어 이들 업체와 수주 논의를 재개한 것으로 전해졌다.
경 사장은 이와 관련 “삼성전자의 GAA 기반 3nm 공정에 대한 반응이 좋다. 이름을 말할 순 없지만 알 만한 거의 모든 기업이 같이 일하는 중”이라고 설명했다.
회사는 매출 성장 등을 바탕으로 기술 초격차에 힘을 싣고 있으며 2025년 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 차례로 도입한다는 구상이다.
설계 기초 인프라 개발도 순항 중으로 삼성전자는 다음 달 27∼28일 미국 캘리포니아주 산호세를 시작으로 한국(7월4일), 독일 뮌헨, 일본 도쿄, 중국 등에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열고 사업의 로드맵과 신기술을 각각 내놓을 계획이다.
정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 지난달 실적 콘퍼런스콜을 통해 “GAA의 기술을 적용한 3나노 1세대 공정으로 지난 분기에 이어 안정적인 수율로 양산 중”이라며 “2세대 공정 역시 1세대 경험을 토대로 양산성 높은 공정으로 차질 없이 개발 중”이라고 강조했다.
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